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積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身

「積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身」の連載記事一覧です。

積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身【後編】

メモリセル300層超えへ　Samsung「V-NAND」でストレージ大容量化が進むか

Samsung Electronicsの3次元NAND型フラッシュメモリ「V-NAND」はメモリセルの積層数を増やすことで大容量化を進め、ついに100層を突破した。フラッシュストレージの大容量化にどのような影響があるのだろうか。

2020年2月13日 Robert Sheldon , TechTarget

積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身【前編】

100層以上のメモリセルを搭載　Samsung第6世代「V-NAND」を構成する技術とは

Samsung Electronicsの第6世代「V-NAND」は、100層以上のメモリセルを積載した３次元NAND型フラッシュメモリだ。高速性、大容量、低消費電力をどう実現したのか。

2020年2月7日 Robert Sheldon , TechTarget

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