フラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」実用化：相変化メモリの課題が解決
フラッシュメモリより高速で1万倍の耐久力があり、DRAMより低コストで不揮発性。それが相変化メモリ（PCM）だ。フラッシュストレージよりさらに高速なストレージが、もうすぐ登場するかもしれない。
IBMによれば、相変化メモリ（PCM：訳注）は飛躍的な進化を遂げ、コストはフラッシュに近づいたという。例えば、キャッシュやメモリとしてフラッシュやDRAMと併用することや、データベースのアクセスを高速化することも可能になる。
訳注：Phase Change Memory。相変化技術を利用した不揮発性メモリ。
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2016年5月上旬にパリで開催された「IEEE International Memory Workshop」でこの飛躍的進化のデモが行われ、IBMはトリプルレベルセル（TLC）PCMをお披露目した。このPCMはセルごとに8レベルの抵抗を判別する。それにより、各セルが1／0ビットを3状態保持できる。
IBMの研究員エバンゲロス・エレフセリウ氏によれば、PCMは読み取り速度200〜300ナノ秒、書き込み速度2〜4マイクロ秒を実現するという。現在のフラッシュストレージの読み取り速度は数百マイクロ秒単位とされるが、書き込み速度はミリ秒に近い。
フラッシュには制約があり、セルのブロック（ページ）全体を一度に書き込む必要があり、セルを消去した後でなければ書き込むことはできない。これはP/Eサイクル（書き込み／消去サイクル）と呼ばれ、フラッシュの大きな問題点となっている。これに対して、PCMは単純にセルを上書きできる。さらに、PCMはフラッシュの1万倍に及ぶ耐久性を持つという。
PCMの実現は困難を極めた。
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