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「NOR型」と「NAND型」の違いとは? フラッシュメモリの2大選択肢を比較フラッシュストレージ選定の前にチェック(2/2 ページ)

NOR型とNAND型のフラッシュメモリは、それぞれ適する用途が異なる。フラッシュストレージの導入を検討している企業は、選定前に両者の違いを知っておく必要がある。

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 1つのメモリセルで保持できるビット数に応じて、NAND型フラッシュメモリは幾つかの種類に分類できる(表2)。1つのメモリセルで保持できるデータが1bitの「SLC」(Single Level Cell)、2bitの「MLC」(Multi Level Cell)、3bitの「TLC」(Triple Level Cell)などだ。間もなく1メモリセル当たり4bitを保持する「QLC」(Quad Level Cell)も利用可能になる。

表2 NAND型フラッシュメモリの種類
種類 1メモリセル当たりの格納データ
SLC 1bit(2段階の電荷量)
MLC 2bit(4段階の電荷量)
TLC 3bit(8段階の電荷量)
QLC 4bit(16段階の電荷量)

 NAND型フラッシュメモリはプレーナ(平面)型の2次元構造から、高密度アプリケーション用の3次元構造へ移行している。3次元NAND型は、信頼性の高い大きなメモリセルを有するとシャドリー氏は指摘。「3次元構造のTLCが、今後1〜2年で主流になる」と予想する。

 シャドリー氏によると、NAND型フラッシュメモリはマネージド(Managed)とロー(Raw)の2種類に大きく分けることができる。

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