「Intel Optane SSD」など新製品を紹介

「3D NAND」「NVMe」の流れ強まる　Intel、東芝など発表のSSDはここが違う

2017年の「Flash Memory Summit」ではIntel、Micron、東芝が新しい3D NAND製品について発表した。Intelは新しいSSDフォームファクタや「Intel Optane SSD」の新オプションを発売する。

公開 2017年08月17日 05時01分

著者

Carol Sliwa

[TechTarget]

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IntelのSSDフォームファクタ「Ruler」

　2017年8月8日～10日に開催された「Flash Memory Summit」で、ベンダー各社は企業向けSSDの新製品を発表した。3D NAND、「Intel Optane SSD」（以下、Optane SSD）、NVMeドライブが新しい流れを主導する。

　Intelは新型SSD用フォームファクタ、デュアルポートの3D NAND SSDとOptane SSD、アップデートした企業向けSATA SSDを発表した。Micronは同社過去最大容量となる11TBの3D NAND搭載NVMe対応PCI Express（PCIe）ドライブを発表した。東芝は64層3D NAND搭載のSAS対応およびNVMe対応のPCIe SSDの開発について発表した。

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Intelの新型SSD用フォームファクタ

　Intelは薄くて細長い形状から「Ruler」（定規）と名付けた新しい高密度、大容量SSD用フォームファクタを発表した。同社によると、高密度3D NANDフラッシュ使用で1Uサーバラックに最大1PBのデータストレージを収容できるという。また、従来の2.5インチ／3.5インチSSDやPCIeアドインカードより低電力と低冷却コストを実現するとしている。

　Rulerフォームファクタ用にはフラッシュカードドライブに加え、超低レイテンシのOptane SSDも用意する予定だ。Intelは、Rulerを採用する3D NANDとOptane SSDを「近い将来、発売する」と述べるにとどまり、具体的な日程は明らかにしていない。

　併せて発表したデュアルポートの3D NAND SSDとOptane SSDは、高可用性のための冗長性とフェイルオーバーを必要とするミッションクリティカルな用途に対応する。これらもIOPSと帯域幅を高め、低レイテンシを実現するという。

　デュアルポートOptane SSDは一部の顧客向けに出荷しており、2017年中に提供範囲を広げる予定だ。デュアルポートの3D NAND PCIe SSDの「D4500」「D4502」「D4600」シリーズは既に出荷を開始している。

　Intelの第2世代トリプルレベルセル（TLC）3D NANDフラッシュSSD「DC S4500」と「DC S4600」は、新しいSATAコントローラーとアップデートしたファームウェア、高密度32層3D NANDフラッシュ技術を採用している。Intelによると、S4600は、混合ワークロードの性能が前世代より30％向上するという。S4600は240GBから最大1.92TB、S4500は最大3.84TBのオプションを用意する。2017年中にS4500の7.68TBオプションも提供する予定だ。S4500とS4600は既に出荷を開始しており、5年間保証を提供している。

Micron、過去最大容量の3D NAND搭載NVMe対応PCIe

　Micronの新しい「9200」シリーズは、第2世代のNVMe対応企業向けPCIe Gen 3 SSDだ。最大容量は11TBで、「9100」シリーズの最大3.2TBから3倍以上になった。9100シリーズではマルチレベルセルのプレーナー型NANDフラッシュ技術を採用していたが、新しい9200シリーズでは高密度32層3D NAND技術を採用している。

　9200シリーズでは「Eco」「Pro」「Max」の3モデルそれぞれにHHHL（ハーフハイト、ハーフレングス）フォームファクタとホットプラグ対応U.2フォームファクタを用意する。容量オプションはEcoモデルが8TBと11TB、Proが1.92～7.68TB、最も耐久性の高いMaxが1.6～6.4TBだ。

　Maxは書き込みの多いワークロードに対応し、ドライブの寿命まで8.6PB～34.7PBのデータ書き換えが可能だ。Proモデルは混合ワークロード対応で、ドライブの容量に応じて3.5PB～13.7PBの耐久性を提供する。Ecoモデルは読み込みの多いワークロードに対応し、耐久性は11.4PBと15.7PBだ。

　Micronは無償ソフトウェア「Storage Executive」で、ユーザーの要件に応じて耐久性を調整できる「Flex Capacity」機能を提供している。例えば、読み込みの多いワークロードに対応する低耐久性ドライブを使用している場合に、このドライブの最大容量を下げて耐久性を上げれば、書き込みの多いワークロード用に転用可能だ。同社エンタープライズNVMe担当プロダクトマーケティングマネジャーのダン・フローレンス氏によると、このソフトウェアアドオンは他の製品にも使用でき、インタラクティブなGUIとコマンドラインインタフェースを備えているという。

　9200シリーズの一般提供は2017年8月31日に開始する予定だ。用途としてアプリケーションやデータベースの高速化、リアルタイムデータ分析、高頻度取引、ハイパフォーマンスコンピューティングなどに対応する。NVMe over Fabrics（NVMe-oF）によってデータ伝送を高速するMicronの「SolidScale」ストレージ装置にも9200 SSDを使用する計画だ。

　フローレンス氏は、アップデートしたコントローラー技術とファームウェア、並列化によって、同社の従来のNVMe SSDより性能が5～10％向上すると説明した。Micronの仕様によると、9200 Eco、Pro、Maxのラージブロックのシーケンシャル読み取り速度は最大4.6Gbps、シーケンシャル書き込み速度は最大3.8Gbps、スモールブロックのランダム読み取り速度は最大100万IOPSだという。Max HHHL SSDのランダム書き込み速度は最大27万IOPS、Proは17万IOPS、Ecoは11万IOPSだ。

東芝、64層3D NAND搭載のSAS対応およびNVMe対応のPCIe SSD

　東芝は64層3D NANDを搭載したNVMe対応SSD「CM5」シリーズと12Gbps SAS対応SSD「PM5」シリーズを開発中であることを発表した。一部のOEM向けにサンプル出荷を開始し、2017年末までに完成させる予定だ。

　デュアルポートPCIe Gen 3 SSDのCM5シリーズは、レイテンシを低減するNVMeとNVMe-oFに対応し、マルチ名前空間とマルチストリームの機能を提供する。東芝によると、CM5は、5DWPD（1日当たりのドライブ書き込み数）をサポートするモデルでランダム読み取り速度最大80万IOPS、ランダム書き込み速度24万IOPS、3DWPDモデルでランダム読み取り速度最大22万IOPSを達成するという。

　東芝がCM5ドライブで紹介した不揮発メモリ領域（PMR）技術では、SSDのDRAMを不揮発性デュアルインラインメモリモジュール（NV-DIMM）の代替に利用してシステムメモリを補強できる。ロギング、ジャーナリング、アプリケーションステージングのようなメタデータ処理をSSDに移すことができ、コストを低減できるという。

　SAS SSDのPM5シリーズでは2.5インチのフォームファクタに幅広い容量オプションと耐久性オプションを提供し、容量400GB～30.72TB、耐久性1、2、3、5、10DWPDが選択可能だ。4ポートMultiLink SASデザインによって、既存のSASインフラを使い続けることを可能にしながら、PCIe SSDに近い性能を実現する。

　PM5の性能試験では、MultiLinkモードでシーケンシャル読み取り速度最大3350MBps、シーケンシャル書き込み速度最大2720MBps、ナローデュアルまたはMultiLinkモードでランダム読み取り速度最大40万IOPSを達成した。また、PM5が提供するマルチストリーム書き込み技術は、データタイプをグループ化することによってライトアンプリフィケーション（書き込み増幅）やガベージコレクションを抑え、レイテンシを低減させて、耐久性と性能、Quality of Service（QoS）の向上を実現するという。

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