まだストレージクラスメモリ普及前夜

SCM搭載ストレージの市場投入で見えてきた革新の可能性

HPEとDell EMCによるSCM搭載ストレージの市場投入によって、ストレージアーキテクチャが新たな段階に突入する。

公開 2019年02月07日 08時00分

更新 2022年01月18日 09時19分

著者

Antony Adshead

[Computer Weekly]

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　2018年12月中旬、HPEは「3PAR」アレイと「Nimble」アレイにストレージクラスメモリ（SCM）を搭載すると発表した。ストレージのアーキテクチャが新たな段階に突入すると同時に、ストレージパフォーマンスに変革が起こる可能性が見えてきた。

　HPEの動向は「新世代アプリケーション」（分析企業IDCによる定義）の登場を受けたものだ。新世代アプリケーションは、分析、人工知能（AI）、機械学習を中心とする、（ほぼ）リアルタイムの処理が必要なアプリケーションを指す。

　トランザクション処理など、最もパフォーマンスが重視されるアプリケーションは遅延時間がナノ秒単位のキャッシュやDRAMに作業データセットを保持しなければならなかった。

　だが保持できる量には限りがあるため、データセットのサイズ増加に応じてフラッシュストレージで補完してきた。この方法は、レイテンシが200マイクロ秒～300マイクロ秒に増大する可能性がある。そしてI/OパスはSCSIプロトコルに変換され、結果的に処理オーバーヘッドを引き起こす。

　SCSIを使わなければ、近年市場で激増しているNVMeフラッシュによって100マイクロ秒未満という壁を破ることができる。

　レイテンシの面では、SCMによってアクセス時間が20マイクロ秒または10マイクロ秒未満という新らたなメディアが加わる。このメディアは、フラッシュよりも高速だが価格が高く、DRAMよりも遅いが価格は安い。

　市場には既に、「3D XPoint」（ベースは相変化メモリ）を使うIntelの「Optane」と、より「従来型の」セルベースのソリッドステート技術を使ったSamsungの「Z-SSD」がある。Optaneの容量には16GBと32GBがあり、マザーボード上のDDR4スロットかPCIeスロットに接続できる。Z-SSDには480GBと960GBのラインアップがあり、PCIeで接続する。

　SCMはフラッシュ／NVMeフラッシュとDRAMの間に収まり、分析を中心とする作業データセットを（揮発性DRAMとは異なり）十分保持できるサイズの永続メディアを提供する。

　IDCは、2020年までにはFortune 2000に名を連ねる企業の60～70％が、ミッションクリティカルなアプリケーション向けにリアルタイム処理を行うと予測している。

　前述の通りHPEが3PARアレイとNimbleアレイに組み込むと発表しているのが、Dell EMCも「PowerMax」「SC」「Dell EMC Unity」にSCMを搭載する計画が明らかになっている。

　NetAppはSCM搭載製品の計画の有無を明らかにしていないが、SCMをキャッシュとしてアレイで使用する可能性は見受けられる。だがこの予想はすぐに変わるかもしれない。

　IBMとHitachi Vantaraは、Webで公開されている資料を見る限りでは現在SCMに関する計画はないようだ。

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