PCMと「レーストラックメモリ」

　PCMはIBMが推進しているメモリ技術の1つにすぎない。米カリフォルニア州にあるIBMアルマデン研究所では、「レーストラックメモリ」と呼ばれる磁気技術を宣伝している。これは、「レーストラック」（ナノサイズのワイヤー）上で磁気ビットを前後に移動させるという方式だ。

　IBMはWebサイト上で公開している「Icon of Progress」と題した解説で、立体型マイクロチップ構造を備えたレーストラックメモリは、「ほぼ全ての形態の従来型データストレージに取って代わる可能性がある」と述べている。IBMによると、この技術を利用すれば、携帯電話やノートPC、企業向けサーバに現在の100倍の情報を保存し、はるかに高速にアクセスできるようになるという。

　IBMアルマデン研究所の磁気エレクトロニクスグループのフェロー兼マネジャー、スチュアート・パーキン氏は、フラッシュメモリに対するレーストラックメモリ技術のアドバンテージとして、耐久性の限界と書き込み回数の制限がないことを挙げ、コスト面でもNANDよりも優位に立つ可能性があるとしている。この新技術は5～7年後に製品化される見込みだと同氏は予想する。つまり、PCMとほぼ同じ時期に登場する可能性があるということだ。

　しかしIBMのポジディス氏によると、PCMは「より短期的なメモリ技術」であり、その開発はレーストラックメモリよりも「ずっと進んでいる」という。

　IBMは自社の知的財産で年間10億ドル以上の技術ライセンスを提供しており、新しいメモリ技術に対する同社の取り組みは有望だが、PCMおよびレーストラックメモリの開発は、最終的にどの技術がNANDフラッシュをリプレースするのか不透明だという状況を物語っている。

　「IBMが言うことをそれほど真剣には受け止めていない」と話すのは、カナダのForward Insightsの創業者で主席アナリストのグレッグ・ウォン氏だ。「同社の事業基盤がそのメモリを開発して実用化することにあるのだとすれば、話は別だ。彼らはこのゲームにそれほど入れ込んでいない」

PCM、STT-MRAM、RRAMの可能性

　「このゲームに入れ込んでいる」大手半導体メーカー各社は、PCM、MRAM、RRAMなど複数の技術の開発に取り組んでいる。しかし代替技術がコスト面でNANDと対等になるかNANDよりも優位に立たない限り、どれほど技術的アドバンテージがあろうとも企業市場で有力な選択肢になる可能性は低い。

　「最も有望視されている技術でも、現状では5倍も高価になりそうだ」と指摘するのは、米Micron TechnologyのNANDソリューショングループのマーケティングディレクター、ケビン・キルバック氏だ。これは、代替メモリ技術に関する同社の研究に基づくコメントだ。

　Micronはその一方で、PCMやSpin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM（STT-MRAM）など多数の分野で取り組みを進めている（PCMは2010年にスイスのNumonyxを買収したのを機に開発）。キルバック氏によると、一部のメモリ技術はNANDフラッシュメモリを補完するだけになるかもしれないという。

　「それでもそれなりのメリットはあるだろう。現時点では、後継技術が1つに絞られるかどうか分からない」とキルバック氏は話す。

　次回は、Intelや韓国のHynix Semiconductor、東芝などの大手半導体メーカー各社が考える後継技術の動向予測を紹介する。