積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身

Samsung Electronicsの3次元NAND型フラッシュメモリ「V-NAND」はメモリセルの積層数を増やすことで大容量化を進め、ついに100層を突破した。フラッシュストレージの大容量化にどのような影響があるのだろうか。

Samsung Electronicsの第6世代「V-NAND」は、100層以上のメモリセルを積載した３次元NAND型フラッシュメモリだ。高速性、大容量、低消費電力をどう実現したのか。