積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身

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積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身【後編】

Samsung Electronicsの3次元NAND型フラッシュメモリ「V-NAND」はメモリセルの積層数を増やすことで大容量化を進め、ついに100層を突破した。フラッシュストレージの大容量化にどのような影響があるのだろうか。

[Robert Sheldon, TechTarget] ()
積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身【前編】

Samsung Electronicsの第6世代「V-NAND」は、100層以上のメモリセルを積載した3次元NAND型フラッシュメモリだ。高速性、大容量、低消費電力をどう実現したのか。

[Robert Sheldon, TechTarget] ()

From Informa TechTarget

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