2020年02月13日 05時00分 公開
特集/連載

メモリセル300層超えへ Samsung「V-NAND」でストレージ大容量化が進むか積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身【後編】

Samsung Electronicsの3次元NAND型フラッシュメモリ「V-NAND」はメモリセルの積層数を増やすことで大容量化を進め、ついに100層を突破した。フラッシュストレージの大容量化にどのような影響があるのだろうか。

[Robert Sheldon,TechTarget]

関連キーワード

SSD | フラッシュメモリ


 Samsung Electronicsが、メモリセルを垂直方向に配置した3次元NAND(3D NAND)型フラッシュメモリ「V-NAND」(Vertical NAND)を搭載した商用フラッシュストレージを発売したのは2013年のことだ。V-NANDの第1世代は、絶縁体に電荷を安定して保存する「チャージトラップフラッシュ」(CTF)の技術を採用した24層のメモリセルで構成されていた。以来、SamsungはV-NAND技術の改良を着実に進め、いよいよ第6世代V-NANDの生産を開始した。

 第6世代V-NANDはメモリセルが100層を超え、メモリモジュールとして最大256GBの保存容量を提供できる。Samsungがまず発売するのは容量250GBのSATA(Serial ATA)接続型SSD(ソリッドステートドライブ)だ。

 V-NANDが採用している技術の「チャネルホールエッチング」は、フラッシュメモリの積層数増大に寄与する。V-NANDのメモリチップは、複数のスタック(積み重ね)型メモリセルを積載した構造を持つ。メモリセルを積層するための円筒形の穴である「チャネルホール」を上から下まで垂直に貫通させることで、均一なCTFセルの配置を可能にしている。

 第6世代V-NANDは、それまで9億3000万個だったメモリチップのチャネルホール数を6億7000万個に減らすことでメモリチップサイズを縮小し、製造効率を向上させている。データ伝送速度を高める回路設計を採用しており、Samsungによると書き込みレイテンシ450マイクロ秒以下、読み込みレイテンシ45マイクロ秒以下を実現可能だという。積層数を増やすと発生しやすくなるエラーや読み込みの際のレイテンシを抑えることを可能にしている。この新しい回路設計によって、消費電力を前世代よりも低減している。

フラッシュストレージ大容量化への影響は

ITmedia マーケティング新着記事

クラウドファンディングを活用して広告出稿 MOTION GALLERYと電通が「AD MISSON」を提供開始
自己資金は乏しくても共感性が高く社会貢献の見込めるプロジェクトが情報発信できるため...

news017.jpg

「A/Bテスト」ツール 売れ筋TOP10(2021年10月)
今週は、「A/Bテスト」ツールの売れ筋TOP10を紹介します。

news030.jpg

コンテンツSEOでやらかしてしまいがちな3つの勘違い
ITmedia マーケティングで2021年3月に連載して多くの反響をいただいた「勘違いだらけのEC...