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最先端のフラッシュストレージ技術がQLC（クアッドレベルセル）だ。QLCは4bitのデータを使って16のステートを格納する。つまり16の異なる電圧レベルを使う。
セルは、書き込みごとに少し損傷する。つまり各セルには寿命がある。これを耐久性と呼び、フラッシュメモリで実行できるP／E（書き込み／消去）サイクル数で表される。SLCのP／Eサイクルは通常約10万回だ。MLCは3万5000〜1万、TLCは5000に下がる。QLCの場合、P／Eサイクルは当初100回程度と予想されていた。メーカーはこの数を1000回に増やすことに成功している。
密度の増加はビットの区別を難しくする。QLCはTLCより密度が25％高くなり、速度は大幅に遅くなる。QLCの読み取り速度は他のフラッシュとあまり変わらないが、書き込み速度は最高160Mbpsで、従来のHDDよりも遅い。
だが、QLCにもTLCやMLC、SLCよりも優れている点がある。これを活用しない手はない。
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