積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身
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積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身【後編】
Samsung Electronicsの3次元NAND型フラッシュメモリ「V-NAND」はメモリセルの積層数を増やすことで大容量化を進め、ついに100層を突破した。フラッシュストレージの大容量化にどのような影響があるのだろうか。
[Robert Sheldon, TechTarget] ()
積層数3桁を実現したSamsungメモリの中身【前編】
Samsung Electronicsの第6世代「V-NAND」は、100層以上のメモリセルを積載した３次元NAND型フラッシュメモリだ。高速性、大容量、低消費電力をどう実現したのか。
[Robert Sheldon, TechTarget] ()
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