2012年01月16日 09時00分 UPDATE
特集/連載

NAND代替メモリ技術を徹底比較【後編】フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み

NAND型フラッシュメモリの微細化の限界は、業界全体の関心事だ。代替技術が台頭する中、NAND型フラッシュメモリの延命に取り組むメーカーも存在する。

[Carol Sliwa,TechTarget]

 前編の「NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑」に続き、NAND型フラッシュメモリの後継技術として関心が高まる、相変化メモリ(PCM)や磁気メモリ(MRAM)、抵抗変化型メモリ(RRAM)の3つの技術の最新動向を紹介する。これらの新技術は、過去2年間でブレークスルーが起き、性能と耐久性の両面で今後の飛躍が期待されている。

 米Intelの不揮発性メモリソリューショングループの製品マーケティングディレクター、トロイ・ウィンスロー氏によると、Intelではスタック型PCMの一種で相変化メモリ&スイッチ(PCMS)と呼ばれる技術が、企業向けシステムとしてMRAMよりも有望だと考えているようだ。PCMSはOvonic Threshold Switchで層化されたPCMエレメントで構成される。

 IntelとNumonyxは2009年、64Mビットのテストチップで1個のダイ内に複数のPCMアレイを層化することに成功し、容量や性能、拡張性を高めると同時に消費電力を低減したメモリ素子の開発に道筋をつけたと発表した。

 しかしウィンスロー氏は「NANDは企業向けソリューションとして長い歴史がある。2〜3年後に新たな技術が登場しても、移行が進むのに数年かかるだろう」と付け加える。

この記事を読んだ人にお薦めの関連記事

注目テーマ

ITmedia マーケティング新着記事

news042.jpg

訪日外国人観光客が礼賛、おもてなし力が高い日本の都市トップ10――Airbnb調査
訪日外国人旅行者の目的が体験型消費に移行しつつあるといわれる中、どのような都市が高...

news033.jpg

Facebook日本進出から10年、個人情報不正利用問題が広告事業に与える影響は?
Facebook日本進出10周年に当たり、フェイスブックジャパンは記者向けの説明会を開催。気...

news114.jpg

LINE、QRコード読み込みで即時抽選ができる店頭販促支援サービス「LINEインスタントウィン」を提供
LINEは、「LINE」を活用した店頭販促ソリューション「LINE SP Solutions」の新メニューと...