NAND型フラッシュメモリの進化は“無意味”なのか、“役立つ”のか：TLCの技術とSSDの今後【第2回】

企業においてSSDの利用が広がる中で進む変化の一つが、NAND型フラッシュメモリの進化だ。主要ベンダーの新世代製品には、どのような利点が見込めるのか。

[Adam Armstrong，TechTarget]

　SSDの利用が企業のデータセンターにおいて広がる中で、NAND型フラッシュメモリの新世代品は、企業に利点をもたらすのか。コストや性能などの観点で考えてみよう。

NAND型フラッシュメモリの進化は企業には無意味？　役立つ？

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　Samsung Electronicsは2022年11月、1つのメモリセルに3bitを格納する「TLC」（トリプルレベルセル）を記録方式に採用した、第8世代の3D（3次元）NAND型フラッシュメモリ「V-NAND」（Vertical NAND）の量産開始を発表した。

　第8世代のV-NANDについて、Samsungは記録密度の向上を達成したと説明しているが、その詳細についてはほとんど明らかにしていない。他方、競合のMicron Technologyは、NAND型フラッシュメモリのメモリセルを200層以上に積層することを実現している。

　「情報が不足しているため、第8世代のV-NANDがMicronのNAND型フラッシュメモリと機能面でどのように異なるのかについて、定量的に判断することはできない」。調査会社Objective Analysis のゼネラルディレクター兼半導体アナリストのジム・ハンディ氏はそう語る。ただしV-NANDの世代が新しくなり記録密度が高密度化することは、Samsungに利益をもたらすものだとみる。高密度化はコスト抑制につながるからだ。

　ハンディ氏は第8世代V-NANDの高密度化によるコスト抑制は、直接的に顧客の利益にはつながらない可能性があるとみる。一方、データ転送速度が高速化する点は、直接的に顧客の役に立つと同氏は予測する。第8世代のV-NANDのデータ転送速度は、第7世代に比べて1.2倍の最大2.4Gbpsとなった。

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