大手ストレージベンダー9社が予測する2018年は？ 新メモリ技術、NVMeに注目：「ユーザーが置き去りになる」という意見も（3/3 ページ）

[Carol Sliwa，TechTarget]

大きな変化をもたらす新しいメモリテクノロジー

コブ氏

　高速ストレージが大容量メモリとタッグを組み、ソフトウェアエコシステムはそれを把握しようと反応することになる。同時に「フラッシュ」から「超高速フラッシュ」へと半導体業界初の進化が起ころうとしている。この超高速フラッシュをSamsung ElectronicsなどはZ-NANDと呼んでいる。またIntelとMicronは3D XPointプロジェクトでその開発に取り組んでいる。Z-NANDも3D XPointも、ストレージデバイスやプロセッサ用メインメモリとして位置付けられている。

　これまで新しいクラスのメモリは研究段階だったが、2018年には運用環境に導入されるだろう。このメモリは年末に向けて、DRAMとメモリの世界に影響を与え始めると予想される。メモリとストレージの管理用に作成したソフトウェアも影響を受けるだろう。10数年前のマルチスレッドやマルチコアプロセッサと全く同じような大きな変化が起きると思われる。今はまさにその黎明（れいめい）期だ。