Computer Weekly製品導入ガイド速度ニーズに対応するストレージシステムの進化

急上昇するデータ処理需要に対応するため、革新的なストレージクラスメモリ製品の開発競争が展開している。

[Richard Fichera，Computer Weekly]

　企業がインフラとアプリケーションを構築する上で、ストレージは顧客のエクスペリエンスに影響を及ぼす大きなボトルネックになりがちだ。

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　従来のストレージ入出力（I/O）は、高速プロセッサやネットワークに追い付けない。フラッシュストレージの人気が上昇しているのは、HDDよりも一般的に3〜10倍速いからだ。従って、高い性能が求められるアプリケーションは今や、フラッシュストレージの利用が圧倒的だ。

　データの急激な拡張と、そうした膨大なデータの集積を分析する新しいアプリケーションの洪水に加速され、ストレージ市場は急成長を続けている。こうしたアプリケーションには、集中的な処理による負荷がかかる。需要が増大し続ける中で、フラッシュでさえも速度が追い付かなくなりつつある。

　こうした衰えることのない需要増大に追い付くためには、新しい技術と新しいアーキテクチャが必要だ。

ストレージクラスメモリ、次の「軍拡競争」に

　速度へのニーズが急浮上する中で、ストレージシステムは高速化、高密度化、コスト低下を実現しながら、電力消費を抑える圧力にさらされている。インメモリ処理も、メモリに対する貪欲なほどの需要に押され、増え続けるメモリ構成への欲求と、DRAMにかかるコストや電力との間で、衝突を起こしている。

　そうした展開が組み合わさって、「ストレージクラスメモリ」（SCM）の普及に向けた潮流が形成されている。SCMは、さまざまな種類の次世代不揮発メモリ（NVM）を指す新しい業界用語になっている。

　次世代の持続メモリ技術を搭載した製品を提供する初期の動きは、年間何十億ポンドもの収益を上げるだろう。それは今から数年後に始まって、時がたつにつれて上昇する。

　その破壊的な影響力に大まかな順序を付けると、この技術には主に以下の3つの可能性がある。

1.次世代のフラッシュ代替技術が外部ストレージに革新を起こす

2.DRAM機能へのNVM拡張はインメモリ処理の大型化を加速させる

3.持続メモリセマンティックはシステムアーキテクチャを革新させ得る

ストレージ革命

　現在のフラッシュ技術は性能、そして最近では急速に価格も追求するようになった。しかしDRAMに比べるとまだ遅い。新興の有望なSCM技術は、フラッシュの速度を少なくとも2桁引き上げる機会を提供する。

　現在のフラッシュの10倍〜100倍の性能を実現する新種のソリッドステートメモリは、従来型のストレージアーキテクチャを維持しながら、単純にパフォーマンスを向上させたい企業向けの市場を形成するだろう。ほとんどのフラッシュ開発は、速度よりも密度とコストに重点を置く。従ってそうした新興技術は、未来のフラッシュの多くを脅かす。そうしたパフォーマンスの向上によって、新しいSCMはフラッシュより高額になるかもしれないが、DRAMよりは安くなるはずだ。例えばIntelの「3D XPoint」はほぼ確実に、現在のフラッシュストレージよりも高速な代替として、SSD、NVMe、あるいはPCI接続型のフォームファクターのいずれかにおいて、最初に姿を現すだろう。

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拡張可能メモリ

　さらにエキサイティングな展開として、DIMMにSCMを搭載し、システムメモリコントローラーを通じてメモリセマンティックにアクセスすることにより、システム内で対応できるメモリ量を拡張する技術もある。