1つのメモリセルで保持できるビット数に応じて、NAND型フラッシュメモリは幾つかの種類に分類できる（表2）。1つのメモリセルで保持できるデータが1bitの「SLC」（Single Level Cell）、2bitの「MLC」（Multi Level Cell）、3bitの「TLC」（Triple Level Cell）などだ。間もなく1メモリセル当たり4bitを保持する「QLC」（Quad Level Cell）も利用可能になる。
| 種類 | 1メモリセル当たりの格納データ |
|---|---|
| SLC | 1bit（2段階の電荷量） |
| MLC | 2bit（4段階の電荷量） |
| TLC | 3bit（8段階の電荷量） |
| QLC | 4bit（16段階の電荷量） |
NAND型フラッシュメモリはプレーナ（平面）型の2次元構造から、高密度アプリケーション用の3次元構造へ移行している。3次元NAND型は、信頼性の高い大きなメモリセルを有するとシャドリー氏は指摘。「3次元構造のTLCが、今後1～2年で主流になる」と予想する。
シャドリー氏によると、NAND型フラッシュメモリはマネージド（Managed）とロー（Raw）の2種類に大きく分けることができる。
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