帯域幅に対する欲求は尽きることがない。データセンターでは2〜3年ごとに容量の倍増が期待され、スイッチの進化が促されている。
Webスケールのデータセンターでは、100Gbpsの光モジュールを使って12.8Tbpsのスイッチを展開するのが一般的だ。その容量は、今後2年で25Tbpsに達し、その後5〜6年で最大容量の50Tbpsに達すると予測される。
その時点で、光信号と電子信号を相互に変換するスイッチは、従来の相互接続技術では帯域幅密度をサポートできなくなる転換点に達する。
そこで登場するのが「シリコンフォトニクス」だ。シリコンチップを使って光信号を送信するシリコンフォトニクスは、光モジュールをスイッチにパッケージ化することで帯域幅密度の制限を克服し、400Gbps以上の光リンク実現への道を切り開く。
「シリコンフォトニクスにとって最高の追い風だ」と話すのは、ベルギーを拠点とする研究開発機関imec(Interuniversity Microelectronics Centre)でシリコンフォトニクスの主任技術者を務めるヨリス・バン・カンペンハウト氏だ。同機関は、高速電子と組み合わせて200ミリウエハーと300ミリウエハーでのシリコンフォトニクスプラットフォームを開発している。
世界中のシリコンウエハー製造インフラの多くは既に整い、広範な導入を妨げる恐れのある課題は克服されつつある。とはいえ、シリコンフォトニクスのウエハースケールの製造はこの状態を崩すことになる。
その一つがレーザーデバイスだ。
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