2015年10月20日 12時00分 公開
特集/連載

NANDフラッシュの多次元化で曖昧になるメモリとの境界線フラッシュストレージの4大進化【前編】

メモリチャネルフラッシュ、3D、NVMe、NVDIMMは、間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新のフラッシュストレージテクノロジーの進化だ。

[Dennis Martin,TechTarget]
photo 年々低価格化、大容量化が進むSSD(TechTargetジャパン記事「世界初2TバイトのSSDが登場、アナリストの評価は?」より)

 近年フラッシュストレージ界を4つの大きな進化が席巻した。3Dアーキテクチャによって高密度のNANDチップが実現し、メモリスロットに直結するフラッシュストレージはソリッドステートストレージを増量するためにサーバのDIMMスロットとバスを使用するようになった。また、Non-Volatile Memory Express(NVMe)というストレージ接続規格によって、より優れたパフォーマンスを引き出すためにサーバのPCIバスをさらに効率的に利用できるようになり、NVDIMM(不揮発性DIMM)はシステムのRAMに不揮発性を付加した。

 現在、どのテクノロジーも利用可能だ。今回から2回にわたり、各テクノロジーの最適なユースケースとメリット/デメリットを紹介する。それから、NANDフラッシュテクノロジーに取って代わるであろうテクノロジーについても取り上げる。

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