2015年10月26日 12時00分 公開
特集/連載

NANDフラッシュより“1000倍高速かつ耐久性に優れる”最新メモリ技術とはフラッシュストレージの4大進化【後編】

フラッシュストレージ技術は進化を遂げている。間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新技術を紹介する。

[Dennis Martin,TechTarget]
photo 年々低価格化、大容量化が進むSSD(TechTargetジャパン記事「世界初2TバイトのSSDが登場、アナリストの評価は?」より)

 近年フラッシュストレージ界を4つの大きな進化が席巻した。3Dアーキテクチャによって高密度のNANDチップが実現し、メモリチャネルフラッシュはソリッドステートストレージを増量するためにサーバのDIMMスロットとバスを使用するようになった。また、Non-Volatile Memory Express(NVMe)によって、より優れたパフォーマンスを引き出すためにサーバのPCIバスをさらに効率的に利用できるようになり、NVDIMMはシステムのRAMに不揮発性を付加した。

 現在、どのテクノロジーも利用可能だ。前編「NANDフラッシュの多次元化で曖昧になるメモリとの境界線」に続き、各テクノロジーの最適なユースケースとメリット/デメリットを紹介する。それから、NANDフラッシュテクノロジーに取って代わるであろうテクノロジーについても取り上げる。

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