フラッシュストレージ技術は進化を遂げている。間もなくNANDフラッシュに取って代わることが予想される最新技術を紹介する。
近年フラッシュストレージ界を4つの大きな進化が席巻した。3Dアーキテクチャによって高密度のNANDチップが実現し、メモリチャネルフラッシュはソリッドステートストレージを増量するためにサーバのDIMMスロットとバスを使用するようになった。また、Non-Volatile Memory Express（NVMe）によって、より優れたパフォーマンスを引き出すためにサーバのPCIバスをさらに効率的に利用できるようになり、NVDIMMはシステムのRAMに不揮発性を付加した。
現在、どのテクノロジーも利用可能だ。前編「NANDフラッシュの多次元化で曖昧になるメモリとの境界線」に続き、各テクノロジーの最適なユースケースとメリット／デメリットを紹介する。それから、NANDフラッシュテクノロジーに取って代わるであろうテクノロジーについても取り上げる。
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